教育背景
• Griffith University, 澳大利亚理学博士 05 14’ – 03 18’
物理, The School of Natural Sciences
研究领域: 储氢& 密度泛函理论(DFT) 计算
• 新加坡国立大学, 新加坡 07 02’ – 12 04’
工学硕士
Electrical and Computer Engineering Department
专业: 微电子
• 天津大学 07 97’ – 12 00’
工学硕士
电子工程系
专业: 微电子& 固体电子学
• 天津大学 07 93’ – 07 97’
工学学士
电子工程系
专业: 微电子& 固体电子学
科研经历
• 博士研究项目 05 14’ – 11 17’
物理, the School of Natural Sciences, Griffith University, 澳大利亚
合成和表征用于储氢应用的金属间化合物
使用电弧熔解, 管式炉和球磨制备AB3 and A3B 化合物：以 Li, K, Ca, Ti, Zr或者Hf作为元素A，Fe 或者Ni作为元素B
使用 XRD, SEM/EDX, 中子衍射, HTP1, DSMS 测量化学性质, 形貌和吸氢和放氢性能 结果: 目标成分化合物被制备和进行测设; 研究了镍取代Zr3Fe里的铁的效应.
氢化物结构的DFT 计算
应用USPEX 程序和应用 TOPOS, VASP 和Phonopy两种方法尝试氢化物结构预测. 使用分子动力学 (MD) 和nudged elastic band (NEB)计算研究镍取代Zr3Fe里的铁的效应.
结果: USPEX 程序和应用 TOPOS, VASP 和Phonopy两种方法验证成功预测Zr3Fe 结构; 因为复杂的氢化过程，应用TOPOS, VASP 和Phonopy方法没能成功预测LaNi5 结构. 镍取代Zr3Fe里的铁降低了氢原子在Zr3Fe 晶格中迁移的动力学特性.
• 和德国Jülich Centre for Neutron Science (JCNS)的合作项目
合成CuMn 合金去研究其磁性性质
用电弧熔解制备了一系列CuMn 合金
结果: 制备完成. 通过SEM/ EDX分析证实制备的样品是均匀的.
• 硕士研究项目 07 02’ – 09 04’
Data Storage Institute, Agency for Science, Technology and Research (A*star)/ Electrical and Computer Engineering Department, 新加坡国立大学, 新加坡
薄膜生长, 表征和器件制备
用 ALCVD技术生长钴掺杂的ZnO 薄膜(通过改变生长参数， 温度， 基片等等)
用溅射技术生长锰掺杂的ZnO 薄膜(通过改变生长参数， 温度， 基片等等)
用 CVD 方法生长CrO2 薄膜 (通过改变生长模式，生长参数， 温度， 基片等等)
使用轮廓仪, XRD, AFM, XPS 去测试制得薄膜的厚度, 结构, 形貌和 成分
制备基于CrO2 的微型磁效应隧道结(MTJ) 器件并且测量其电性能和磁性能
维护运行 ALCVD system (真空系统, 电磁阀, 真空泵, 制程改进) 和使用射频溅射系统
结果: 高质量 ZnO: 过渡金属元素薄膜和CrO2 薄膜被成功制备; 进行了因应不同生长条件的电性能和磁性能变化的测量和分析; MTJ 器件被成功制备
• 本科和硕士科研经历 01 97’ – 07 00’
敏感材料和传感器研究组, 电子工程系, 天津大学
导电聚合物薄膜淀积和器件制备
生长聚吡咯(PPy) 薄膜 (改变化合物浓度, 反应时间和温度等等)
制备固态电解电容器
结果: 高导电PPy 薄膜制备成功; 高性能电容器制备成功
发表文章
1、 Experimental and theoretical study of Ni substitution to Zr3Fe (准备中).
2、 Hydride structure calculation of Zr3Fe and LaNi5 (准备中).
3、 Liu, W., C.J. Webb, and E.M. Gray, Review of hydrogen storage in AB3 alloys targeting stationary fuel cell applications. International Journal of Hydrogen Energy, 2016. 41(5): p. 3485-3507.
4、 Peng, Y.Z., et al., Growth and characterization of dual-beam pulsed-laser-deposited Zn1−xCoxO thin films. Journal of Applied Physics, 2005. 98(11): p. 114909.